简体中文 English
X
当前位置： 首页 /新闻中心/技术文章
碳化硅MOS缺陷密度
时间：2023-03-21 作者：芯干线科技 分类：技术文章 浏览：1006次
  • 近年来，碳化硅晶圆缺陷密度在不断降低
  • 杀手级的缺陷已经基本消除，然而普通级的缺陷仍然制约器件的性能发挥，尤其是双极型的情况
  • 需要进一步提升器件的长期可靠性，短路耐量及氧化层稳定性等
上一篇：
碳化硅平面MOS简化工艺流程
下一篇：
没有了
联系我们

电话：+86-025-51180705

邮箱：xinkansen@x-ipm.com

微信公众号：芯干线科技

在线咨询 在线留言