碳化硅MOS缺陷密度
时间:2023-03-21 作者:芯干线科技 分类:技术文章 浏览:833次
  • 近年来,碳化硅晶圆缺陷密度在不断降低
  • 杀手级的缺陷已经基本消除,然而普通级的缺陷仍然制约器件的性能发挥,尤其是双极型的情况
  • 需要进一步提升器件的长期可靠性,短路耐量及氧化层稳定性等