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碳化硅MOS缺陷密度
时间：2023-03-21 作者：芯干线科技 分类：技术文章 浏览：955次
  • 近年来，碳化硅晶圆缺陷密度在不断降低
  • 杀手级的缺陷已经基本消除，然而普通级的缺陷仍然制约器件的性能发挥，尤其是双极型的情况
  • 需要进一步提升器件的长期可靠性，短路耐量及氧化层稳定性等
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碳化硅平面MOS简化工艺流程
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