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级联型氮化镓的优缺点
时间：2023-04-13 作者： 分类：技术文章 浏览：992次

Good: 优点

ØGaN HEMT天生就是常开型，容易设计和生产
Ø和硅一样的高阈值电压

Bad: 缺点

Ø性能相对差一些
Ø直接控制硅MOS的门极，而非氮化镓的门极
Ø需要外加TVS器件来保护低压MOS
Ø氮化镓和MOS管的Coss 匹配不易
Ø仍然有Qrr
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