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技术文章
氮化镓半桥门极驱动(使用负压关断时需注意的)
时间:2023-04-13
作者:
分类:技术文章
浏览:1015次
氮化镓半桥电路下管负压关断时候,下管反向导通时Vsd会比较大
门极驱动IC所使用的boostrap电路对boostrap电容充电时可能会造成Vcap电压过高而损坏上管
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