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氮化镓通态电阻Rdson随Vgs的变化
时间:2023-04-12
作者:
分类:技术文章
浏览:986次
就650V E-mode氮化镓器件而言,通态电阻Rdson随着门极电压增加而快速下降(从阈值电压到2.5V左右)
从2.5V到6V,通态电阻Rdson下跌很少,这意味着可以考虑使用低一些的驱动电压(例如5V)
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硅超结 MOS Cds 非线性问题研究
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