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SiC MOSFET器件在光伏逆变器的优势及应用
随着清洁能源的发展步伐日益加快,光伏储能技术领域也呈现出新的活力。特别是随着电动汽车市场的蓬勃发展,功率...
GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三种半导体功率器件的应用区别
GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)、Si MOSFET(硅金属氧化物半导体场效应晶体管)和SiC MOSFET(碳化硅金属氧化...
瑞萨MCU做主控的三相5KW图腾柱无桥PFC方案介绍
一、瑞萨全数字电源控制MCU简介 瑞萨RA-T系列MCU是为电机和数字电源应用而优化的规格和产品系列,产品具有最...
千亿风口下的第三代半导体GaN功率器件
一、什么是GaN功率器件 第一代半导体材料以硅(Si)和锗(Ge)为代表,它们为半导体行业奠定了坚实的基础。随着技术...
碳化硅,从材料到模块
碳化硅功率器件的制备,经历了从材料生长(衬底材料)—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装(分立,模...
级联型氮化镓的匹配问题
级联 D-GaN: 如何匹配 D-GaN 和 N-MOS V_m≈V_pdd∙C_(ds,GaN)/(C_(ds,GaN)+C_(ds,MOS) ) Vm 太小: ...
简化的氮化镓功率器件封装步骤
氮化镓功率器件不同于硅器件在于它的表面材料质地较硬,在做划片的时候,不能只是用传统的钻石刀,需要先做激光凹...
数字隔离技术介绍
磁隔离器基于芯片级变压器 电容隔离是在芯片顶部加上一个高介电常数的电容隔离阻挡层来实现
功率器件硬开通曲线分析
功率器件在硬开关开通过程分为三个阶段: 第一阶段:A-B, 门极驱动给Cgs充电,门极电压从0到阈值电压Vth,再到米勒...
功率器件硬关断曲线分析
功率器件在硬开关关断过程分为三个阶段: 第一阶段:D-C,门极驱动给Cgs和Cgd放电,门极电压从稳态的门极电压下降...
氮化镓驱动方式
氮化镓功率器件的驱动方式不同于硅或者碳化硅; 氮化镓门极电压范围较窄,一般-10V到+7V; 为了最好的发挥出氮...
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