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芯技术 | 基于芯干线X2M120075T4B的三相5KW热泵风机电源方案
无论是大型商业建筑的中央空调系统还是热泵型的家用空调，热泵风机都起着关键作用。它可以快速调节室内温度，为...
GaN HEMT：POE 交换机的革新力量
在数据流量呈指数级增长以及 5G 技术深度普及的当下，POE（以太网供电）交换机作为融合了数据传输与电力供应功能...
芯干线最新电源方案推出，功放客户纷至~~
芯干线科技新近研发的一款 100W 电源适配器，深受功放市场青睐，认可度极高。 这款电源的 PCBA 采用裸板（Open F...
SiC MOSFET器件在光伏逆变器的优势及应用
随着清洁能源的发展步伐日益加快，光伏储能技术领域也呈现出新的活力。特别是随着电动汽车市场的蓬勃发展，功率...
GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三种半导体功率器件的应用区别
GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）、Si MOSFET（硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC MOSFET（碳化硅金属氧化...
氮化镓功率器件电流崩塌效应
氮化镓功率器件特有的动态电阻现象源于电流崩塌效应。电流崩塌是当漏极和门极/源极之间承受了大电压应力后，...
氮化镓功率器件封装级终测简介
终测可以剔除在CP过程中未被发现的失效器件，以及在封装过程中坏掉的器件。终测是在给客户出货前最后一次测试...
典型级联氮化镓内部视图
Ø级联封装较复杂，包含3个器件和陶瓷衬底 Ø可能会比E-mode成本更高 Ø级联不适合低压...
级联型氮化镓的匹配问题
级联 D-GaN: 如何匹配 D-GaN 和 N-MOS V_m≈V_pdd∙C_(ds,GaN)/(C_(ds,GaN)+C_(ds,MOS) ) Vm 太小: ...
简化的氮化镓功率器件封装步骤
氮化镓功率器件不同于硅器件在于它的表面材料质地较硬，在做划片的时候，不能只是用传统的钻石刀，需要先做激光凹...
数字隔离技术介绍
磁隔离器基于芯片级变压器 电容隔离是在芯片顶部加上一个高介电常数的电容隔离阻挡层来实现