氮化镓功率器件封装级终测简介
时间:2023-04-13 作者: 分类:技术文章 浏览:763次

终测可以剔除在CP过程中未被发现的失效器件,以及在封装过程中坏掉的器件。终测是在给客户出货前最后一次测试,以往硅器件只测试静态特性,对于氮化镓器件而言,动态特性也需要测试

üIdss: 漏极漏电流
üVth阈值电压
üRdson通态电阻
üBV: 击穿电压
üCrss, Coss, Ciss: 寄生电容
üQg: 门极电荷
ü其他项目