简体中文 English
X
当前位置： 首页 /新闻中心/技术文章
典型级联氮化镓内部视图
时间：2023-04-13 作者： 分类：技术文章 浏览：1083次
Ø级联封装较复杂，包含3个器件和陶瓷衬底
Ø可能会比E-mode成本更高 
Ø级联不适合低压氮化镓器件（<200V)，因为来自低压MOS管的Rdson在通态电阻中的占比会更高
Ø就600V器件而言，MOS的Rdson占比小于5%
Ø就100V器件而言，MOS的Rdson占比可能超过30%

上一篇：
氮化镓功率器件封装级终测简介
下一篇：
级联型氮化镓的匹配问题
联系我们

电话：+86-025-51180705

邮箱：xinkansen@x-ipm.com

微信公众号：芯干线科技

在线咨询 在线留言