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典型级联氮化镓内部视图
时间：2023-04-13 作者： 分类：技术文章 浏览：755次
Ø级联封装较复杂，包含3个器件和陶瓷衬底
Ø可能会比E-mode成本更高 
Ø级联不适合低压氮化镓器件（<200V)，因为来自低压MOS管的Rdson在通态电阻中的占比会更高
Ø就600V器件而言，MOS的Rdson占比小于5%
Ø就100V器件而言，MOS的Rdson占比可能超过30%

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