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碳化硅，从材料到模块
碳化硅功率器件的制备，经历了从材料生长（衬底材料）—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装（分立，模...
如何运用GaN才能做到最优性价比
随着科技的发展，人们生活水平的提高，人类生活对于能源电力的需求越来越大。从而对电源转换效率、电源体积、电...
碳化硅在光伏中的应用
商业化的增强型氮化镓驱动IC举例
氮化镓驱动 厂商 单管 / 半桥 上拉/下拉电流 VDD供电电压 门极驱动电压 上拉 / 下拉电阻 传输延时 ...
芯干线氮化镓功率器件直接驱动
以下为芯干线氮化镓功率器件直接驱动方案，供设计参考：
氮化镓与超结MOS管的品质因素(FOM)比较
氮化镓功率器件品质因数：Rdson * Qg，远远胜过最好的超结MOS管。 参考文献：陈桥梁，功率MOSFET：从原理、特性到应...
氮化镓器件和硅超结MOS管损耗分析（硬开关）
相同的击穿电压，通态电阻及工作频率下，根据以下损耗公式： 损耗分类 符号 超结MOS 氮化镓 备注 导通损耗 ...
氮化镓可靠性测试项目举例
典型的JEDEC可靠性测试要求（简化版）： Test Items Description Requirements Number of Chips from 3 lots ...
氮化镓超小型65W适配器方案比较
拓扑结构 GaN主开关数量 频率范围 (KHz) 效率 电路调试难度 带壳体积 成本 QR （准谐振反激） 1 100~3...
氮化镓功率器件测试项目举例
氮化镓功率器件测试项目举例： 测试项目名称 Symbols 静态参数测试 Static (DC) parameters testing Rds...
级联型氮化镓的优缺点
Good: 优点 ØGaN HEMT天生就是常开型，容易设计和生产 Ø和硅一样的高阈值电压 Bad: 缺点 &...