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碳化硅，从材料到模块
碳化硅功率器件的制备，经历了从材料生长（衬底材料）—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装（分立，模...
如何运用GaN才能做到最优性价比
随着科技的发展，人们生活水平的提高，人类生活对于能源电力的需求越来越大。从而对电源转换效率、电源体积、电...
碳化硅在光伏中的应用
商业化的增强型氮化镓驱动IC举例
氮化镓驱动 厂商 单管 / 半桥 上拉/下拉电流 VDD供电电压 门极驱动电压 上拉 / 下拉电阻 传输延时 ...
芯干线氮化镓功率器件直接驱动
以下为芯干线氮化镓功率器件直接驱动方案，供设计参考：
氮化镓功率器件封装级终测简介
终测可以剔除在CP过程中未被发现的失效器件，以及在封装过程中坏掉的器件。终测是在给客户出货前最后一次测试...
典型级联氮化镓内部视图
Ø级联封装较复杂，包含3个器件和陶瓷衬底 Ø可能会比E-mode成本更高 Ø级联不适合低压...
级联型氮化镓的匹配问题
级联 D-GaN: 如何匹配 D-GaN 和 N-MOS V_m≈V_pdd∙C_(ds,GaN)/(C_(ds,GaN)+C_(ds,MOS) ) Vm 太小: ...
简化的氮化镓功率器件封装步骤
氮化镓功率器件不同于硅器件在于它的表面材料质地较硬，在做划片的时候，不能只是用传统的钻石刀，需要先做激光凹...
数字隔离技术介绍
磁隔离器基于芯片级变压器 电容隔离是在芯片顶部加上一个高介电常数的电容隔离阻挡层来实现
功率器件硬开通曲线分析
功率器件在硬开关开通过程分为三个阶段: 第一阶段：A-B， 门极驱动给Cgs充电，门极电压从0到阈值电压Vth，再到米勒...