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碳化硅，从材料到模块

碳化硅功率器件的制备，经历了从材料生长（衬底材料）—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装（分立，模...

如何运用GaN才能做到最优性价比

随着科技的发展，人们生活水平的提高，人类生活对于能源电力的需求越来越大。从而对电源转换效率、电源体积、电...

碳化硅在光伏中的应用

商业化的增强型氮化镓驱动IC举例

氮化镓驱动厂商单管 / 半桥上拉/下拉电流 VDD供电电压门极驱动电压上拉 / 下拉电阻传输延时 ...

芯干线氮化镓功率器件直接驱动

以下为芯干线氮化镓功率器件直接驱动方案，供设计参考：

SiC对比Si材料优势 II

碳化硅是一种宽禁带半导体，具备高热导率，高击穿场强和高电子报和漂移速率。其中宽禁带和高热导率的特性决定了...

碳化硅掺杂

硬开关中的DFN及TO220的氮化镓器件

DFN封装在开通过程中，电压和电流的斜率明显高于TO220封装。因为DFN封装有开尔文脚，有更小的共源极电感和回路...

碳化硅平面MOS简化工艺流程

碳化硅MOS缺陷密度

近年来，碳化硅晶圆缺陷密度在不断降低杀手级的缺陷已经基本消除，然而普通级的缺陷仍然制约器件的性能发挥，尤...

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