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碳化硅，从材料到模块
碳化硅功率器件的制备，经历了从材料生长（衬底材料）—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装（分立，模...
如何运用GaN才能做到最优性价比
随着科技的发展，人们生活水平的提高，人类生活对于能源电力的需求越来越大。从而对电源转换效率、电源体积、电...
碳化硅在光伏中的应用
商业化的增强型氮化镓驱动IC举例
氮化镓驱动 厂商 单管 / 半桥 上拉/下拉电流 VDD供电电压 门极驱动电压 上拉 / 下拉电阻 传输延时 ...
芯干线氮化镓功率器件直接驱动
以下为芯干线氮化镓功率器件直接驱动方案，供设计参考：
氮化镓通态电阻Rdson随Vgs的变化
就650V E-mode氮化镓器件而言，通态电阻Rdson随着门极电压增加而快速下降（从阈值电压到2.5V左右） 从2.5V到6V，通...
氮化镓的高di/dt问题
某些封装形式会带来较大的源极漏电感 共源极电感(CSI)是功率回路和驱动回路共有的电感 高di/dt会在CSI上...
氮化镓功率器件击穿电压随温度变化
硅器件雪崩击穿是可恢复的，并随着温度的升高而略有增加； 氮化镓器件的击穿一般是硬击穿，一旦击穿，器件就会坏掉...
如何测试氮化镓功率器件Qg
氮化镓器件双脉冲测试的测试方法（1）
双脉冲测试是用来测试功率器件的动态性能 负载电感在第一个脉冲结束的时候建立需要测试的电流值，并在接下来...
氮化镓器件双脉冲测试的测试方法（2）