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GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三种半导体功率器件的应用区别
GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)、Si MOSFET(硅金属氧化物半导体场效应晶体管)和SiC MOSFET(碳化硅金属氧化...
瑞萨MCU做主控的三相5KW图腾柱无桥PFC方案介绍
一、瑞萨全数字电源控制MCU简介 瑞萨RA-T系列MCU是为电机和数字电源应用而优化的规格和产品系列,产品具有最...
千亿风口下的第三代半导体GaN功率器件
一、什么是GaN功率器件 第一代半导体材料以硅(Si)和锗(Ge)为代表,它们为半导体行业奠定了坚实的基础。随着技术...
碳化硅,从材料到模块
碳化硅功率器件的制备,经历了从材料生长(衬底材料)—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装(分立,模...
如何运用GaN才能做到最优性价比
随着科技的发展,人们生活水平的提高,人类生活对于能源电力的需求越来越大。从而对电源转换效率、电源体积、电...
氮化镓最大功率计算
确定了结-壳热阻后,可以用以下公式来结算氮化镓功率器件的最大功率。 同时依据改公式可以画出功率vs.壳温曲...
氮化镓功率器件和LDMOS结构比较
增强型(E-mode)和耗尽型(D-mode)氮化镓功率器件结构和硅LDMOS的结构非常相似,都是横向器件。他们都需要使用场板...
氮化镓功率器件电流崩塌效应
氮化镓功率器件特有的动态电阻现象源于电流崩塌效应。电流崩塌是当漏极和门极/源极之间承受了大电压应力后,...
氮化镓功率器件封装级终测简介
终测可以剔除在CP过程中未被发现的失效器件,以及在封装过程中坏掉的器件。终测是在给客户出货前最后一次测试...
典型级联氮化镓内部视图
Ø级联封装较复杂,包含3个器件和陶瓷衬底 Ø可能会比E-mode成本更高 Ø级联不适合低压...
级联型氮化镓的匹配问题
级联 D-GaN: 如何匹配 D-GaN 和 N-MOS V_m≈V_pdd∙C_(ds,GaN)/(C_(ds,GaN)+C_(ds,MOS) ) Vm 太小: ...
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