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GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三种半导体功率器件的应用区别
GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)、Si MOSFET(硅金属氧化物半导体场效应晶体管)和SiC MOSFET(碳化硅金属氧化...
瑞萨MCU做主控的三相5KW图腾柱无桥PFC方案介绍
一、瑞萨全数字电源控制MCU简介 瑞萨RA-T系列MCU是为电机和数字电源应用而优化的规格和产品系列,产品具有最...
千亿风口下的第三代半导体GaN功率器件
一、什么是GaN功率器件 第一代半导体材料以硅(Si)和锗(Ge)为代表,它们为半导体行业奠定了坚实的基础。随着技术...
碳化硅,从材料到模块
碳化硅功率器件的制备,经历了从材料生长(衬底材料)—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装(分立,模...
如何运用GaN才能做到最优性价比
随着科技的发展,人们生活水平的提高,人类生活对于能源电力的需求越来越大。从而对电源转换效率、电源体积、电...
氮化镓功率器件损耗分类
GaN单片集成前级驱动
氮化镓前级驱动(Pre-driver占用不到5%的面积)与一个门极宽度为120mm的E-mode氮化镓器件实现单片集成。 好处: ...
GaN单片集成逻辑门电路
2018年,EPFL的研究人员使用氮化镓D-mode + E-mode单片集成来实现简单的逻辑门电路 商业上氮化镓数字电路的...
SiC对比Si材料优势 II
碳化硅是一种宽禁带半导体,具备高热导率,高击穿场强和高电子报和漂移速率。其中宽禁带和高热导率的特性决定了...
碳化硅掺杂
硬开关中的DFN及TO220的氮化镓器件
DFN封装在开通过程中,电压和电流的斜率明显高于TO220封装。因为DFN封装有开尔文脚,有更小的共源极电感和回路...
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