首页
产品中心
GaN HEMT
GaN 模块
SiC SBD
SiC MOS
SiC 模块
IGBT模块
应用方案
生产制造
新闻中心
公司新闻
行业资讯
技术文章
关于芯干线
公司简介
企业文化
发展历程
办公地址
核心团队
荣誉资质
未来方向
联系我们
联系方式
人才招聘
简体中文
English
X
首页
产品中心
GaN HEMT
GaN 模块
SiC SBD
SiC MOS
SiC 模块
IGBT模块
应用方案
生产制造
新闻中心
公司新闻
行业资讯
技术文章
关于芯干线
公司简介
企业文化
发展历程
业务布局
核心团队
荣誉资质
未来方向
联系我们
联系方式
人才招聘
新闻中心
NEWS CENTER
点击展开
公司新闻
行业资讯
技术文章
芯技术 | 基于芯干线X2M120075T4B的三相5KW热泵风机电源方案
无论是大型商业建筑的中央空调系统还是热泵型的家用空调,热泵风机都起着关键作用。它可以快速调节室内温度,为...
GaN HEMT:POE 交换机的革新力量
在数据流量呈指数级增长以及 5G 技术深度普及的当下,POE(以太网供电)交换机作为融合了数据传输与电力供应功能...
芯干线最新电源方案推出,功放客户纷至~~
芯干线科技新近研发的一款 100W 电源适配器,深受功放市场青睐,认可度极高。 这款电源的 PCBA 采用裸板(Open F...
SiC MOSFET器件在光伏逆变器的优势及应用
随着清洁能源的发展步伐日益加快,光伏储能技术领域也呈现出新的活力。特别是随着电动汽车市场的蓬勃发展,功率...
GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三种半导体功率器件的应用区别
GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)、Si MOSFET(硅金属氧化物半导体场效应晶体管)和SiC MOSFET(碳化硅金属氧化...
硅超结 MOS Cds 非线性问题研究
氮化镓通态电阻Rdson随Vgs的变化
就650V E-mode氮化镓器件而言,通态电阻Rdson随着门极电压增加而快速下降(从阈值电压到2.5V左右) 从2.5V到6V,通...
氮化镓的高di/dt问题
某些封装形式会带来较大的源极漏电感 共源极电感(CSI)是功率回路和驱动回路共有的电感 高di/dt会在CSI上...
氮化镓功率器件击穿电压随温度变化
硅器件雪崩击穿是可恢复的,并随着温度的升高而略有增加; 氮化镓器件的击穿一般是硬击穿,一旦击穿,器件就会坏掉...
如何测试氮化镓功率器件Qg
氮化镓器件双脉冲测试的测试方法(1)
双脉冲测试是用来测试功率器件的动态性能 负载电感在第一个脉冲结束的时候建立需要测试的电流值,并在接下来...
1
2
10
11
12
13
14
15
16
17
18