简体中文 English
X
当前位置： 首页 /新闻中心/技术文章
氮化镓功率器件击穿电压随温度变化
时间：2023-04-12 作者： 分类：技术文章 浏览：1010次
  • 硅器件雪崩击穿是可恢复的，并随着温度的升高而略有增加；
  • 氮化镓器件的击穿一般是硬击穿，一旦击穿，器件就会坏掉；
  • 氮化镓击穿比较类似介质击穿，击穿电压随温度升高而下降；

上一篇：
氮化镓的高di/dt问题
下一篇：
如何测试氮化镓功率器件Qg
联系我们

电话：+86-025-51180705

邮箱：xinkansen@x-ipm.com

微信公众号：芯干线科技

在线咨询 在线留言