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碳化硅，从材料到模块
碳化硅功率器件的制备，经历了从材料生长（衬底材料）—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装（分立，模...
如何运用GaN才能做到最优性价比
随着科技的发展，人们生活水平的提高，人类生活对于能源电力的需求越来越大。从而对电源转换效率、电源体积、电...
碳化硅在光伏中的应用
商业化的增强型氮化镓驱动IC举例
氮化镓驱动 厂商 单管 / 半桥 上拉/下拉电流 VDD供电电压 门极驱动电压 上拉 / 下拉电阻 传输延时 ...
芯干线氮化镓功率器件直接驱动
以下为芯干线氮化镓功率器件直接驱动方案，供设计参考：
商业化的 P-GaN HEMTs技术路线比较
Kevin J. Chen, Understanding the Dynamic Behavior in GaN-on-Si Power Devices and IC’s, Integra...
氮化镓功率器件软开关曲线
软开关的Ids-Vds包络线（B1软开通，B2软关断）所包裹的Ids-Vds坐标平面面积比硬开关的包络线(A1硬关断，A2硬开通）所...
65W超小型适配器发展史（2016年～2020年）
氮化镓功率器件和超结MOS管的价格趋势比较
如果我们把氮化镓功率器件和超结MOS管做一个比较，会发现这两者的价格在导通电阻较大的时候（>100毫欧）非常接近...
氮化镓半桥门极驱动（使用负压关断时需注意的）
氮化镓半桥电路下管负压关断时候，下管反向导通时Vsd会比较大 门极驱动IC所使用的boostrap电路对boostrap电...
半桥架构氮化镓功率器件对驱动器的CMTI的要求
半桥结构的氮化镓功率器件广泛用于例如LLC等拓扑结构中。因为氮化镓功率器件的有较高的dv/dt变化率，对板桥模...