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碳化硅，从材料到模块
碳化硅功率器件的制备，经历了从材料生长（衬底材料）—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装（分立，模...
如何运用GaN才能做到最优性价比
随着科技的发展，人们生活水平的提高，人类生活对于能源电力的需求越来越大。从而对电源转换效率、电源体积、电...
碳化硅在光伏中的应用
商业化的增强型氮化镓驱动IC举例
氮化镓驱动 厂商 单管 / 半桥 上拉/下拉电流 VDD供电电压 门极驱动电压 上拉 / 下拉电阻 传输延时 ...
芯干线氮化镓功率器件直接驱动
以下为芯干线氮化镓功率器件直接驱动方案，供设计参考：
功率器件硬关断曲线分析
功率器件在硬开关关断过程分为三个阶段: 第一阶段：D-C，门极驱动给Cgs和Cgd放电，门极电压从稳态的门极电压下降...
氮化镓驱动方式
氮化镓功率器件的驱动方式不同于硅或者碳化硅； 氮化镓门极电压范围较窄，一般-10V到+7V; 为了最好的发挥出氮...
较真实的氮化镓门极驱动分析
根据实际测试的数据，这里有较为真实的氮化镓门极驱动开关分析。 注意关断器件，门极电压看似有米勒平台，但那不...
氮化镓功率器件的反向导通
Ø和硅MOS不同，氮化镓器件没有PN结 Ø当源极和门极接在一起, 在 VDS 上加一个负压相当于加一个...
氮化镓功率器件非理想硬开关门极驱动
功率器件的寄生参数会导致非理想的硬开关曲线。这些寄生参数包括器件本身的各种寄生电感和外面PCB板布线造...
氮化镓功率器件和超结MOS管的芯片面积比较
过去30年，超结MOS芯片面积不断减小，然而氮化镓却是一个质的飞跃 芯片面积小意味着更低的成本，但同时也会带来...