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碳化硅，从材料到模块
碳化硅功率器件的制备，经历了从材料生长（衬底材料）—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装（分立，模...
如何运用GaN才能做到最优性价比
随着科技的发展，人们生活水平的提高，人类生活对于能源电力的需求越来越大。从而对电源转换效率、电源体积、电...
碳化硅在光伏中的应用
商业化的增强型氮化镓驱动IC举例
氮化镓驱动 厂商 单管 / 半桥 上拉/下拉电流 VDD供电电压 门极驱动电压 上拉 / 下拉电阻 传输延时 ...
芯干线氮化镓功率器件直接驱动
以下为芯干线氮化镓功率器件直接驱动方案，供设计参考：
氮化镓功率器件主要应用方向
氮化镓和超结MOS管Rdson随温度变化比较
氮化镓和超结硅的Rdson高低温比值相当： GaN HEMT而言: Rdson 高低温比值: Rdson(T=150C)/ Rdson(T=25C) =16...
氮化镓功率器件安全工作区计算和测试
氮化镓和硅功率器件有类似的安全工作区定义 热不稳定区域是热失效发生的区域，通常曲线的曲率越陡，在高电压时...
氮化镓最大功率计算
确定了结-壳热阻后，可以用以下公式来结算氮化镓功率器件的最大功率。 同时依据改公式可以画出功率vs.壳温曲...
氮化镓功率器件和LDMOS结构比较
增强型（E-mode）和耗尽型（D-mode）氮化镓功率器件结构和硅LDMOS的结构非常相似，都是横向器件。他们都需要使用场板...
氮化镓功率器件电流崩塌效应
氮化镓功率器件特有的动态电阻现象源于电流崩塌效应。电流崩塌是当漏极和门极/源极之间承受了大电压应力后，...