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碳化硅，从材料到模块
碳化硅功率器件的制备，经历了从材料生长（衬底材料）—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装（分立，模...
如何运用GaN才能做到最优性价比
随着科技的发展，人们生活水平的提高，人类生活对于能源电力的需求越来越大。从而对电源转换效率、电源体积、电...
碳化硅在光伏中的应用
商业化的增强型氮化镓驱动IC举例
氮化镓驱动 厂商 单管 / 半桥 上拉/下拉电流 VDD供电电压 门极驱动电压 上拉 / 下拉电阻 传输延时 ...
芯干线氮化镓功率器件直接驱动
以下为芯干线氮化镓功率器件直接驱动方案，供设计参考：
650V超结硅和氮化镓的品质因素比较
参考资料：梁晓军：新型宽禁带半导体器件的研究与探索
氮化镓驱动门极电阻的影响
对E-mode氮化镓器件而言，门极电阻有非常重要的作用，特别是关断损耗 门极电阻限制门极放电电流，因而减缓了漏源...
硬开关中的DFN及TO220的氮化镓器件
DFN封装在开通过程中，电压和电流的斜率明显高于TO220封装。因为DFN封装有开尔文脚，有更小的共源极电感和回路...
碳化硅光伏应用的优势
SiC对比Si材料优势 I
3倍禁带宽度：低漏电、高工作温度 10倍击穿场强：高击穿电压、低损耗、高开关速度 3倍热导率：高功率密度、低散...
碳化硅用于储能系统