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碳化硅，从材料到模块
碳化硅功率器件的制备，经历了从材料生长（衬底材料）—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装（分立，模...
如何运用GaN才能做到最优性价比
随着科技的发展，人们生活水平的提高，人类生活对于能源电力的需求越来越大。从而对电源转换效率、电源体积、电...
碳化硅在光伏中的应用
商业化的增强型氮化镓驱动IC举例
氮化镓驱动 厂商 单管 / 半桥 上拉/下拉电流 VDD供电电压 门极驱动电压 上拉 / 下拉电阻 传输延时 ...
芯干线氮化镓功率器件直接驱动
以下为芯干线氮化镓功率器件直接驱动方案，供设计参考：
简化的氮化镓生产工艺流程（耗尽型）
为了让大家更好的理解氮化镓功率器件的工艺流程，这里准备了一个简化的耗尽型氮化镓功率器件的工艺步骤。第一...
简化的氮化镓功率器件封装步骤
有了氮化镓芯片的晶圆工艺，我们现在来简单讲一下氮化镓封装。氮化镓功率器件的封装和硅功率器件很类似。在封...
氮化镓功率器件的一些基本特性
没有雪崩击穿，更加类似于介质击穿 没有p-型氮化镓管，氮化镓单片模拟/数字IC的设计与硅不同 最大门级电压被...
氮化镓通态电阻Rdson随温度的变化
让我们再来看一下氮化镓的通态电阻随温度的变化。左图是芯干线的氮化镓功率器件随温度的变化，从25度室温到15...
寄生电容: GaN和硅超结MOS对比
如果我们比较寄生电容，氮化镓的Coss随漏源极电压变化很小，Vds从0V上升到500V，Coss仅变化了5倍。而硅超级MOS管，C...
功率器件芯片面积的演进
这里我们来看一下硅MOS管的迭代。从普通的VDMOS到超结MOS管，超结MOS管自身也在不断迭代，新一代超结MOS管的芯...