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SiC MOSFET器件在光伏逆变器的优势及应用
随着清洁能源的发展步伐日益加快,光伏储能技术领域也呈现出新的活力。特别是随着电动汽车市场的蓬勃发展,功率...
GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三种半导体功率器件的应用区别
GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)、Si MOSFET(硅金属氧化物半导体场效应晶体管)和SiC MOSFET(碳化硅金属氧化...
瑞萨MCU做主控的三相5KW图腾柱无桥PFC方案介绍
一、瑞萨全数字电源控制MCU简介 瑞萨RA-T系列MCU是为电机和数字电源应用而优化的规格和产品系列,产品具有最...
千亿风口下的第三代半导体GaN功率器件
一、什么是GaN功率器件 第一代半导体材料以硅(Si)和锗(Ge)为代表,它们为半导体行业奠定了坚实的基础。随着技术...
碳化硅,从材料到模块
碳化硅功率器件的制备,经历了从材料生长(衬底材料)—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装(分立,模...
65W超小型适配器发展史(2016年~2020年)
氮化镓功率器件和超结MOS管的价格趋势比较
如果我们把氮化镓功率器件和超结MOS管做一个比较,会发现这两者的价格在导通电阻较大的时候(>100毫欧)非常接近...
氮化镓半桥门极驱动(使用负压关断时需注意的)
氮化镓半桥电路下管负压关断时候,下管反向导通时Vsd会比较大 门极驱动IC所使用的boostrap电路对boostrap电...
半桥架构氮化镓功率器件对驱动器的CMTI的要求
半桥结构的氮化镓功率器件广泛用于例如LLC等拓扑结构中。因为氮化镓功率器件的有较高的dv/dt变化率,对板桥模...
氮化镓驱动门极振铃
开关速度快和门极电压振铃之间的取舍问题: RLC等效电路: 门极电阻Rg小 ↓ ⇒ 开关速度快 ↑ &...
芯干线氮化镓和硅超结MOS比较:ZTC
硅器件存在零温度系数点(Zero Temperature Coefficient,ZTC)。在这个点的下方为正温度系数,漏极电流随温度增加...
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