简体中文 English
X
新闻中心
NEWS CENTER
点击展开
SiC MOSFET器件在光伏逆变器的优势及应用
随着清洁能源的发展步伐日益加快，光伏储能技术领域也呈现出新的活力。特别是随着电动汽车市场的蓬勃发展，功率...
GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三种半导体功率器件的应用区别
GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）、Si MOSFET（硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC MOSFET（碳化硅金属氧化...
瑞萨MCU做主控的三相5KW图腾柱无桥PFC方案介绍
一、瑞萨全数字电源控制MCU简介 瑞萨RA-T系列MCU是为电机和数字电源应用而优化的规格和产品系列，产品具有最...
千亿风口下的第三代半导体GaN功率器件
一、什么是GaN功率器件 第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）为代表，它们为半导体行业奠定了坚实的基础。随着技术...
碳化硅，从材料到模块
碳化硅功率器件的制备，经历了从材料生长（衬底材料）—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装（分立，模...
较真实的氮化镓门极驱动分析
根据实际测试的数据，这里有较为真实的氮化镓门极驱动开关分析。 注意关断器件，门极电压看似有米勒平台，但那不...
氮化镓功率器件的反向导通
Ø和硅MOS不同，氮化镓器件没有PN结 Ø当源极和门极接在一起, 在 VDS 上加一个负压相当于加一个...
氮化镓功率器件非理想硬开关门极驱动
功率器件的寄生参数会导致非理想的硬开关曲线。这些寄生参数包括器件本身的各种寄生电感和外面PCB板布线造...
氮化镓功率器件和超结MOS管的芯片面积比较
过去30年，超结MOS芯片面积不断减小，然而氮化镓却是一个质的飞跃 芯片面积小意味着更低的成本，但同时也会带来...
氮化镓与超结MOS管的品质因素(FOM)比较
氮化镓功率器件品质因数：Rdson * Qg，远远胜过最好的超结MOS管。 参考文献：陈桥梁，功率MOSFET：从原理、特性到应...
氮化镓器件和硅超结MOS管损耗分析（硬开关）
相同的击穿电压，通态电阻及工作频率下，根据以下损耗公式： 损耗分类 符号 超结MOS 氮化镓 备注 导通损耗 ...