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GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三种半导体功率器件的应用区别
GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)、Si MOSFET(硅金属氧化物半导体场效应晶体管)和SiC MOSFET(碳化硅金属氧化...
瑞萨MCU做主控的三相5KW图腾柱无桥PFC方案介绍
一、瑞萨全数字电源控制MCU简介 瑞萨RA-T系列MCU是为电机和数字电源应用而优化的规格和产品系列,产品具有最...
千亿风口下的第三代半导体GaN功率器件
一、什么是GaN功率器件 第一代半导体材料以硅(Si)和锗(Ge)为代表,它们为半导体行业奠定了坚实的基础。随着技术...
碳化硅,从材料到模块
碳化硅功率器件的制备,经历了从材料生长(衬底材料)—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装(分立,模...
如何运用GaN才能做到最优性价比
随着科技的发展,人们生活水平的提高,人类生活对于能源电力的需求越来越大。从而对电源转换效率、电源体积、电...
氮化镓功率器件的反向导通
Ø和硅MOS不同,氮化镓器件没有PN结 Ø当源极和门极接在一起, 在 VDS 上加一个负压相当于加一个...
氮化镓功率器件非理想硬开关门极驱动
功率器件的寄生参数会导致非理想的硬开关曲线。这些寄生参数包括器件本身的各种寄生电感和外面PCB板布线造...
氮化镓功率器件和超结MOS管的芯片面积比较
过去30年,超结MOS芯片面积不断减小,然而氮化镓却是一个质的飞跃 芯片面积小意味着更低的成本,但同时也会带来...
氮化镓与超结MOS管的品质因素(FOM)比较
氮化镓功率器件品质因数:Rdson * Qg,远远胜过最好的超结MOS管。 参考文献:陈桥梁,功率MOSFET:从原理、特性到应...
氮化镓器件和硅超结MOS管损耗分析(硬开关)
相同的击穿电压,通态电阻及工作频率下,根据以下损耗公式: 损耗分类 符号 超结MOS 氮化镓 备注 导通损耗 ...
氮化镓可靠性测试项目举例
典型的JEDEC可靠性测试要求(简化版): Test Items Description Requirements Number of Chips from 3 lots ...
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