首页
产品中心
GaN HEMT
GaN 模块
SiC SBD
SiC MOS
SiC 模块
IGBT模块
应用方案
生产制造
新闻中心
公司新闻
行业资讯
技术文章
关于芯干线
公司简介
企业文化
发展历程
办公地址
核心团队
荣誉资质
未来方向
联系我们
联系方式
人才招聘
简体中文
English
X
首页
产品中心
GaN HEMT
GaN 模块
SiC SBD
SiC MOS
SiC 模块
IGBT模块
应用方案
生产制造
新闻中心
公司新闻
行业资讯
技术文章
关于芯干线
公司简介
企业文化
发展历程
业务布局
核心团队
荣誉资质
未来方向
联系我们
联系方式
人才招聘
新闻中心
NEWS CENTER
点击展开
公司新闻
行业资讯
技术文章
芯技术 | 基于芯干线X2M120075T4B的三相5KW热泵风机电源方案
无论是大型商业建筑的中央空调系统还是热泵型的家用空调,热泵风机都起着关键作用。它可以快速调节室内温度,为...
GaN HEMT:POE 交换机的革新力量
在数据流量呈指数级增长以及 5G 技术深度普及的当下,POE(以太网供电)交换机作为融合了数据传输与电力供应功能...
芯干线最新电源方案推出,功放客户纷至~~
芯干线科技新近研发的一款 100W 电源适配器,深受功放市场青睐,认可度极高。 这款电源的 PCBA 采用裸板(Open F...
SiC MOSFET器件在光伏逆变器的优势及应用
随着清洁能源的发展步伐日益加快,光伏储能技术领域也呈现出新的活力。特别是随着电动汽车市场的蓬勃发展,功率...
GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三种半导体功率器件的应用区别
GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)、Si MOSFET(硅金属氧化物半导体场效应晶体管)和SiC MOSFET(碳化硅金属氧化...
650V超结硅和氮化镓的品质因素比较
参考资料:梁晓军:新型宽禁带半导体器件的研究与探索
氮化镓驱动门极电阻的影响
对E-mode氮化镓器件而言,门极电阻有非常重要的作用,特别是关断损耗 门极电阻限制门极放电电流,因而减缓了漏源...
硬开关中的DFN及TO220的氮化镓器件
DFN封装在开通过程中,电压和电流的斜率明显高于TO220封装。因为DFN封装有开尔文脚,有更小的共源极电感和回路...
碳化硅光伏应用的优势
SiC对比Si材料优势 I
3倍禁带宽度:低漏电、高工作温度 10倍击穿场强:高击穿电压、低损耗、高开关速度 3倍热导率:高功率密度、低散...
碳化硅用于储能系统
1
2
3
4
5
6
7
8
17
18