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GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三种半导体功率器件的应用区别
GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)、Si MOSFET(硅金属氧化物半导体场效应晶体管)和SiC MOSFET(碳化硅金属氧化...
瑞萨MCU做主控的三相5KW图腾柱无桥PFC方案介绍
一、瑞萨全数字电源控制MCU简介 瑞萨RA-T系列MCU是为电机和数字电源应用而优化的规格和产品系列,产品具有最...
千亿风口下的第三代半导体GaN功率器件
一、什么是GaN功率器件 第一代半导体材料以硅(Si)和锗(Ge)为代表,它们为半导体行业奠定了坚实的基础。随着技术...
碳化硅,从材料到模块
碳化硅功率器件的制备,经历了从材料生长(衬底材料)—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装(分立,模...
如何运用GaN才能做到最优性价比
随着科技的发展,人们生活水平的提高,人类生活对于能源电力的需求越来越大。从而对电源转换效率、电源体积、电...
SiC对比Si材料优势 I
3倍禁带宽度:低漏电、高工作温度 10倍击穿场强:高击穿电压、低损耗、高开关速度 3倍热导率:高功率密度、低散...
碳化硅用于储能系统
碳化硅在光伏中的应用
氮化镓与超结硅不同封装的结-壳热阻( RthJC )比较
不同的封装会有不同的结-壳热阻。但封装形式的影响远远小于芯片自身的尺寸对结-壳热阻的影响。我们使用英飞...
为何GaN HEMT没有雪崩击穿?
GaN有很高的击穿场强(硅的10倍) 就硅器件而言,高电场导致硅PN结出现雪崩击穿 GaN HEMT 更像瓷片电容击穿,因为...
寄生电容: GaN和硅超结MOS对比
氮化镓 HEMT: Coss随VDS电压的变化率: Coss(Vds=0.5V)/Coss(Vds=500V)=200pF/41pF=4.89 硅超结MOS: Coss ...
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