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技术文章
GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三种半导体功率器件的应用区别
GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)、Si MOSFET(硅金属氧化物半导体场效应晶体管)和SiC MOSFET(碳化硅金属氧化...
瑞萨MCU做主控的三相5KW图腾柱无桥PFC方案介绍
一、瑞萨全数字电源控制MCU简介 瑞萨RA-T系列MCU是为电机和数字电源应用而优化的规格和产品系列,产品具有最...
千亿风口下的第三代半导体GaN功率器件
一、什么是GaN功率器件 第一代半导体材料以硅(Si)和锗(Ge)为代表,它们为半导体行业奠定了坚实的基础。随着技术...
碳化硅,从材料到模块
碳化硅功率器件的制备,经历了从材料生长(衬底材料)—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装(分立,模...
如何运用GaN才能做到最优性价比
随着科技的发展,人们生活水平的提高,人类生活对于能源电力的需求越来越大。从而对电源转换效率、电源体积、电...
氮化镓功率器件的仿真物理模型
一般而言有三类器件模型:物理级,准物理级以及行为级模型 物理级模型是基于氮化镓器件结构及参数,它的优点是准...
650V氮化镓功率器件技术路线图解
电流崩塌效应: 仿真分析
氮化镓外延片工艺流程
氮化镓外延片的衬底材料可以是硅、碳化硅或者是蓝宝石。外延层通常采用MOCVD的方式实现低成本、高产出率
GaN LLC LTSPICE 仿真
数字隔离技术比较
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