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SiC MOSFET器件在光伏逆变器的优势及应用
随着清洁能源的发展步伐日益加快,光伏储能技术领域也呈现出新的活力。特别是随着电动汽车市场的蓬勃发展,功率...
GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三种半导体功率器件的应用区别
GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)、Si MOSFET(硅金属氧化物半导体场效应晶体管)和SiC MOSFET(碳化硅金属氧化...
瑞萨MCU做主控的三相5KW图腾柱无桥PFC方案介绍
一、瑞萨全数字电源控制MCU简介 瑞萨RA-T系列MCU是为电机和数字电源应用而优化的规格和产品系列,产品具有最...
千亿风口下的第三代半导体GaN功率器件
一、什么是GaN功率器件 第一代半导体材料以硅(Si)和锗(Ge)为代表,它们为半导体行业奠定了坚实的基础。随着技术...
碳化硅,从材料到模块
碳化硅功率器件的制备,经历了从材料生长(衬底材料)—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装(分立,模...
高电流工作情况下,芯片金属线周围塑封料会分解吗?
功率器件如何标称连续电流
功率器件的标称连续电流通常使用上述公式来计算。然而计算所得的 Ids 仅为电流的上限。通常半导体器件提供...
氮化镓DFN封装散热
和硅MOS管一样,DFN封装的氮化镓器件通过底部散热盘散热。氮化镓器件的散热盘通常和器件的硅衬底(以及源极)接触...
硅超结 MOS Cds 非线性问题研究
氮化镓通态电阻Rdson随Vgs的变化
就650V E-mode氮化镓器件而言,通态电阻Rdson随着门极电压增加而快速下降(从阈值电压到2.5V左右) 从2.5V到6V,通...
氮化镓的高di/dt问题
某些封装形式会带来较大的源极漏电感 共源极电感(CSI)是功率回路和驱动回路共有的电感 高di/dt会在CSI上...
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