GaN单片集成逻辑门电路
时间:2023-04-12 作者: 分类:技术文章 浏览:934次
  • 2018年,EPFL的研究人员使用氮化镓D-mode + E-mode单片集成来实现简单的逻辑门电路
  • 商业上氮化镓数字电路的价值还有待时日

Minghua Zhu and Elison Matioli, École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)Monolithic Integration of GaN-Based NMOS DigitaLogic Gate Circuits with E-Mode Power GaN

MOSHEMTs, Proceedings of the 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs,, May 13-17, 2018, Chicago, USA