简体中文 English
X
当前位置： 首页 /新闻中心/技术文章
为何没有P型 GaN HEMT?
时间：2023-04-13 作者： 分类：技术文章 浏览：859次
  • 硅有NMOS和PMOS两种器件：NMOS中，载流子为电子，PMOS载流子为空穴
  • 然而目前还没有商业化的P型GaN HEMT
  • 首先，镁离子掺杂很困难
  • 其次，氮化镓中空穴的迁移率很低 (空穴：30 cm2/Vs vs. 电子：2000 cm2/Vs) 
  • 氮化镓IC通常使用互补的增强型(E-mode)和耗尽型(D-mode)或者干脆完全使用增强型来实现，因此氮化镓IC通常不太容易实现想要的功能
上一篇：
高dv/dt造成的误开通
下一篇：
氮化镓功率器件I-V曲线高低温特性
联系我们

电话：+86-025-51180705

邮箱：xinkansen@x-ipm.com

微信公众号：芯干线科技

在线咨询 在线留言