2021年6月11日,由第三代半导体产业技术创新战略联盟编写的《第三代半导体产业发展报告(2020)》(以下简称“报告”)经过专家层层把关,正式发布
实现“碳中和”的多条路线,都绕不开碳化硅这个上游材料!目前已经有越来越多的机构在调研这一条线了,为什么是SiC碳化硅呢?因为它是上游核心材料,“碳中和”战略核心覆盖领域!
近期,阿里巴巴达摩院发布2021年十大科技趋势,“第三代半导体迎来应用大爆发”位列第一。达摩院指出,第三代半导体的性价比优势逐渐显现并正在打开应用市场。未来5年,基于第三代半导体材料的电子器件将广泛应用于5G基站、新能源汽车、特高压、数据中心等场景。
碳化硅是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片,制作芯片的核心材料按照历史进程分为:第一代半导体材料(大部分为目前广泛使用的高纯度硅),第二代化合物半导体材料(砷化镓、磷化铟),第三代化合物半导体材料(碳化硅、氮化镓) 。碳化硅因其优越的物理性能:高禁带宽度(对应高击穿电场和高功率密度)、高电导率、高热导率,将是未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。