2021年6月11日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟编写的《第三代半导体产业发展报告（2020）》（以下简称“报告”）经过专家层层把关，正式发布

实现“碳中和”的多条路线，都绕不开碳化硅这个上游材料！目前已经有越来越多的机构在调研这一条线了，为什么是SiC碳化硅呢？因为它是上游核心材料，“碳中和”战略核心覆盖领域！

近期，阿里巴巴达摩院发布2021年十大科技趋势，“第三代半导体迎来应用大爆发”位列第一。达摩院指出，第三代半导体的性价比优势逐渐显现并正在打开应用市场。未来5年，基于第三代半导体材料的电子器件将广泛应用于5G基站、新能源汽车、特高压、数据中心等场景。

碳化硅是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为：第一代半导体材料（大部分为目前广泛使用的高纯度硅），第二代化合物半导体材料（砷化镓、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化镓） 。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。