寄生电容: GaN和硅超结MOS对比

如果我们比较寄生电容,氮化镓的Coss随漏源极电压变化很小,Vds从0V上升到500V,Coss仅变化了5倍。而硅超级MOS管,Coss随漏极电压的变化却高达875倍。硅超结MOS的Coss变化率或者说非线性远大于氮化镓。这也是一直以来用硅超结MOS管的系统EMI整改比较困难的原因之一


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