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650V超结硅和氮化镓的品质因素比较
技术资讯
/ 2021-09-28 19:33:30
器件 | RDSON*QOSS | RDSON*QRR | RDSON*EOSS | RDSON*QG |
硅超结 (CoolMOS) | 1 | 1 | 1 | 1 |
氮化镓 (CoolGaN) | 0.13 | 0 | 0.84 | 0.06 |
备注 | 减小死区时间 ⇒ 提高效率 | 支持硬换流应用 ⇒ 图腾柱PFC | 减少硬开关损耗 ⇒传统升压PFC | 减少驱动损耗 ⇒尤其是轻载 |
参考资料：梁晓军：新型宽禁带半导体器件的研究与探索
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