650V超结硅和氮化镓的品质因素比较

 

器件

RDSON*QOSS

RDSON*QRR

RDSON*EOSS

RDSON*QG

硅超结

(CoolMOS)

1

1

1

1

氮化镓

(CoolGaN)

0.13

0

0.84

0.06

备注

减小死区时间

⇒ 提高效率

支持硬换流应用

⇒ 图腾柱PFC

减少硬开关损耗

传统升压PFC

减少驱动损耗

尤其是轻载


参考资料:梁晓军:新型宽禁带半导体器件的研究与探索

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