GaN单片集成前级驱动

Ø氮化镓前级驱动(Pre-driver占用不到5%的面积)与一个门极宽度为120mmE-mode氮化镓器件实现单片集成。

Ø好处:
Ø减少驱动回路的寄生参数
Ø减少振铃(Ringing)
Ø实现很短的上升(8.5ns)和下降沿(2.5ns)时间
Ø有利于提高开关频率

Ø需要更多更详细的应用来分析判断单片集成或者共封集成的优劣


Source: Kevin J. Chen, Oliver Häberlen, Alex Lidow, Chun lin Tsai, Tetsuzo Ueda, Yasuhiro Uemoto and Yifeng Wu, GaN-on-Si Power Technology:, Devices and Applications IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 64, NO. 3, MARCH 2017

本站使用百度智能门户搭建 管理登录