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GaN单片集成前级驱动
技术资讯
/ 2021-09-29 15:51:11
Ø氮化镓前级驱动（Pre-driver占用不到5%的面积）与一个门极宽度为120mm的E-mode氮化镓器件实现单片集成。
Ø好处：
Ø减少驱动回路的寄生参数
Ø减少振铃(Ringing)
Ø实现很短的上升(8.5ns)和下降沿(2.5ns)时间
Ø有利于提高开关频率
Ø需要更多更详细的应用来分析判断单片集成或者共封集成的优劣
Source: Kevin J. Chen, Oliver Häberlen, Alex Lidow, Chun lin Tsai, Tetsuzo Ueda, Yasuhiro Uemoto and Yifeng Wu, GaN-on-Si Power Technology:, Devices and Applications IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 64, NO. 3, MARCH 2017
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