Email：xinkansen@x-ipm.com 网址： http://www.x-ipm.com
总部地址：中国（江苏）自由贸易试验区南京片区研创园团结路99号孵鹰大厦2404室
总部地址：中国（江苏）自由贸易试验区南京片区研创园团结路99号孵鹰大厦2404室
Copyright © 2021 All Rights Reserved 南京芯干线科技有限公司
硬开关中的DFN及TO220的氮化镓器件
技术资讯
/ 2021-09-29 15:39:10
- DFN封装在开通过程中，电压和电流的斜率明显高于TO220封装。因为DFN封装有开尔文脚，有更小的共源极电感和回路电感
- 因此，DFN封装的开通损耗比TO220小很多
- 就关断损耗而言，TO220会发生更严重振荡
- 在大电流关断的时候，TO220甚至出现了误导通的现象。这使得TO220的关断损耗大大增加
最新动态
- GaN单片集成逻辑门电路 2021-09-29 15:53:14
- GaN单片集成前级驱动 2021-09-29 15:51:11
- 氮化镓功率器件损耗分类 2021-09-29 15:45:21
- 数字隔离技术比较 2021-09-29 15:41:38
- 硬开关中的DFN及TO220的氮化镓器件 2021-09-29 15:39:10
- 氮化镓驱动门极电阻的影响 2021-09-29 15:27:34
- GaN LLC LTSPICE 仿真 2021-09-29 15:21:40
- 650V超结硅和氮化镓的品质因素比较 2021-09-28 19:33:30
- 氮化镓外延片工艺流程 2021-09-28 18:25:16
- 电流崩塌效应: 仿真分析 2021-09-28 18:22:16