氮化镓功率器件的一些基本特性

1.没有雪崩击穿,更加类似于介质击穿

2.没有p-型氮化镓管,氮化镓单片模拟/数字IC的设计与硅不同

3.最大门级电压被限制在了7V,且与现有硅驱动IC不兼容,驱动需要特别的IC或设计

4.氮化镓功率器件特有的动态电阻现象,会在工作的时候增加通态电阻,需要有设计裕量

5.虽然GaN材料特性远好过硅,且有高电子迁移率的二维电子气,受制于横向器件,其优点未能完全发挥

6.特征参数(Ron x Qg)氮化镓器件远好过硅及碳化硅器件

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