GaN单片集成逻辑门电路

Ø2018年,EPFL的研究人员使用氮化镓D-mode + E-mode单片集成来实现简单的逻辑门电路

Ø商业上氮化镓数字电路的价值还有待时日

Minghua Zhu and Elison Matioli, École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)Monolithic Integration of GaN-Based NMOS DigitaLogic Gate Circuits with E-Mode Power GaN MOSHEMTs, Proceedings of the 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs,, May 13-17, 2018, Chicago, USA


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