SiC对比Si材料优势 II

SiC vs. Si Advantages II


碳化硅是一种宽禁带半导体,具备高热导率,高击穿场强和高电子报和漂移速率。其中宽禁带和高热导率的特性决定了器件能承受住更高的工作结温。同时高击穿场强和高电子饱和漂移速率带来更低的导通和开关损耗。这些优势组合起来,就是更低的损耗和更高的开关频率,降低对系统散热要求的同时,减小无源原件(电容,电感,变压器)的体积和重量,进而大幅缩小整体系统尺寸和重量。

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